前言 20世纪50年代晶体管诞生以来，微电子学及其相关技术迅速发展，现已成为整个信息时代的标志与基础。以半导体器件为核心的电子工业，从1998年开始，已发展成为世界上规模最大的工业。发展电子工业是弱国变为强国的必由之路，显然培养该专业及相关专业的人才是相当重要的。编著本书的目的正是为各高校近年来新增设的电子信息类专业及其相关的电子科学与技术等专业服务的。 《半导体物理与器件》可作为半导体、微电子学、微电子技术、应用物理等专业本科生的必修教材，也可作为其他相关专业如电子学、计算机、自动控制、电子信息与工程乃至文科各专业本科生、研究生的选修教材或自学参考书，同时也可供从事半导体器件设计、制造和应用等信息技术领域的科研与工程技术人员阅读与参考。 本书从系统性和相对独立性考虑，在内容的选取和编排上力求实用。第1、2章介绍了半导体的基本性质和PN结机理与特性，这是半导体物理的基本知识，可单独作为选修半导体物理教材使用，同时又是后续章节内容的基础。第3、4章主要介绍了双极型晶体管和MOS场效应晶体管，这是半导体器件中最典型、最普及和最具有代表性的器件，重点阐述了这两类器件的基本工作原理、特性和电学参数。为有助于初学者对半导体器件理论的理解和掌握，同时增强对微电子学领域的感性认识，培养学习兴趣，本书第5章介绍了半导体器件制备技术，并涵盖了新技术及发展趋势。第6章简明扼要地介绍了Ga在SiO2/Si结构下的开管掺杂及其在半导体器件中的应用，这是作者希望通过本教材的出版，将多年从事微电子技术科研和应用方面的体会与大家交流，唤起业内人士对新成果的关注和应用。 本书本着突出重点、通俗易懂的原则，叙述的重点放在了基本概念、基本工作原理和性能参数的物理意义上，着重阐述半导体中载流子在各种不同工作条件下的运动过程和变化过程，尽可能地用浅显易懂的语言表述复杂的道理，而又不失其精髓。同时，省略了烦琐的数学推导，从而使内容更精练、重点更突出。在每章后附有本章小结和与内容相配套的思考题与习题。本书后有附录，附录A是本书的主要符号表，附录B是物理常数表，附录C是锗、硅、砷化镓主要物理性质表，附录D是求扩散结杂质浓度梯度的图表和方法。本书各章内容可以单独选择或任意组合使用。 本书参考学时为90学时，可根据具体情况由老师任意选择或相互组合使用。 本书由北京交通大学尹逊和博士担任主审，审阅了书稿，付出了大量的精力和劳动，并提出了许多宝贵的意见和建议，在此表示衷心的感谢。 在本书的编写过程中，参阅了许多的教材与著作，从中汲取了不少有益的内容和叙述方法，在此向作者们深表谢意。 由于作者水平有限，书中难免存在一些不足、不妥或有误之处，恳请有关专家和读者批评指正。 编者